Sejarah Transistor
Transistor, komponen yang mengubah wajah dunia, memungkinkan ukuran peralatan elektronika makin kecil dan kompak dan konsumsi daya rendah, juga mengawali era elektronika digital.
Di pertengahan 1940-an sekelompok ilmuwan yang bekerja di Bell Telephone Labs di Murray Hill, New Jersey, merintis penemuan divais untuk menggantikan teknologi tabung hampa (vacuum tube) saat itu. Tabung hampa menjadi satu-satunya teknologi saat itu untuk menguatkan sinyal atau sebagai saklar dalam elektronika. Masalahnya ialah tabung hampa sangat mahal, mengkonsumsi banyak daya listrik, panas, dan tak-relieable, sehingga perlu perawatan ekstra.
Penemu Transistor
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor pada 1947) ialah John Bardeen, Walter Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan fisika dari Princeton University) merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron dari semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam struktur atom zat padat pada permukaan dan fisika zat padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di Bell Labs).
1. John Bardeen
John Bardeen (23 Mei 1908-30 Januari 1991) ialah ilmuwan Amerika Serikat yang menerima Penghargaan Nobel dalam Fisika 2 kali, yakni pada tahun 1956 dan 1972. Dilahirkan di Madison, Wisconsin, ibunya ialah desainer interior dan ayahnya ialah guru besar kedokteran. Sejak kecil ia cerdas dan diizinkan loncat kelas 4 tahun di SD.
Setelah sekolah tinggi, ia belajar di Universitas Madison, mendapat gelar bachelor dalam teknik elektro. Ia mengambil pendidikan singkat untuk magang di Western Electric Company di Chicago. Setelah lulus, John menjadi asisten riset sarjana dan bekerja dengan Leo Peters dalam geofisika dan gelombang radio.
Pada tahun 1930, ia berpisah dengan Peters untuk pergi ke Pittsburgh, Pennsylvania. Di sana, mereka diberi jabatan riset di Gulf Research Laboratories dan bekerja di sana sampai tahun 1933. Selama masa itu, John bekerja pada pengembangan metode untuk menafsirkan survei geologi magnetik.
Pada tahun 1933, John memulai studi kesarjanaan dalam fisika di Princeton University. Selama waktu senggangnya, ia bekerja di Harvard dengan Profesor Edward van Vleck dan Profesor Bridgman pada riset dalam kohesi dan konduktivitas logam. Ia mendapat gelar Ph.D. pada tahun 1936.
Pada tahun 1938, ia diberi kedudukan sebagai asisten guru besar fisika pembantu di Universitas Minnesota. Ia bekerja di sana sampai tahun 1941, saat ia meninggalkannya untuk bekerja di Naval Ordinance Laboratory di Washington D.C. Alasan utama untuk bekerja di sana ialah untuk membantu usaha perang terhadap Jepang dan Jerman. Risetnya berfokus pada penyapuan ranjau dengan menggunakan magnetisme.
Pada tahun 1945, setelah berakhirnya PD II, ia bergabung dengan Bell Labs untuk bekerja dalam riset fisika keadaan padat.
Pada tahun 1951, ia menjadi guru besar teknik elektro di University of Illinois at Urbana-Champaign. Penelitiannya dengan Walter Brattain dan William Shockley berpuncak dalam pengembangan transistor pertama. Mereka bertiga dinominasikan untuk Hadiah Nobel Fisika pada tahun 1956 untuk kerjanya dan menang. Penemuan transistor merevolusionerkan elektronik elektronika dan menimbulkan banyak kemajuan penting, termasuk pengembangan komputer pribadi.
Pada tahun 1957, ia turut serta dalam riset pada superkonduktivitas yang menghasilkan penjelasan superkonduktor pertama. Pada tahun 1972, ia dinominasikan ke Hadiah Nobel dalam Fisika lagi untuk teori superkonduktivitasnya, menjadikannya fisikawan pertama dalam sejarah yang memenangkan Penghargaan Nobel Fisika 2 kali. Nobel Fisika kedua diterimanya bersama Leon Neil Cooper dan John Schrieffer.
Pada tahun 1990, ia dinobatkan sebagai salah satu tokoh Amerika Serikat paling berpengaruh pada abad ke-20 oleh majalah Life. Ia juga menerima Medal of Science pada tahun 1965, Presidential Medal of Freedom 1976, dan 16 gelar doktor kehormatan.
2. William Bradford Shockley
William Bradford Shockley (lahir di London, Inggris, Britania Raya, 13 Februari 1910 – meninggal di Stanford, California,Amerika Serikat, 12 Agustus 1989 pada umur 79 tahun) ialah fisikawan Amerika Serikat kelahiran Inggris yang menerima Hadiah Nobel Fisika bersama dengan John Bardeen dan Walter H. Brattain.
Ia dilahirkan di London dari orang tua Amerika Serikat yang berada di Inggris selama bebberapa tahun untuk urusan bisnis.Ayahnya adalah insinyur pertambangan dan ibunya wakil surveyor federal untuk tanah mineral. Mereka kembali ke Kalifornia saat William masih balita. Minatnya dalam sains tumbuh sejak dini, melalui profesi orangtuanya dan tetangganya yang mengajar fisikadi Stanford. Ia lulus dari CalTech pada 1932 dan menerima PhD dari MIT pada 1936.
Ia mulai bekerja di Laboratorium Bell. Penelitiannya dalam fisika benda padat, khususnya tabung vakum, membuat banyak kemajuan teoretis dalam tujuan perusahaan untuk menggunakan tombol elektronik untuk kantor telepon sebagai pengganti tombol mekanik yang masih dipakai sampai saat itu. Selama PD II, Shockley bekerja untuk proyek militer, khususnya memperhalus sistem radar. Begitu perang berakhir, ia kembali meneliti benda padat, kini mengamati semikonduktor.
Salah satu sumbangannya dalam bidang industri elektronika ialah penerapan teori kuantum pada perkembangan semikonduktor. Pada 1947, dengan koleganya John Bardeen dan Walter Brattain, ia membuat alat semikonduktor pengeras pertama. Mereka menyebutnya transistor (dari transfer dan resistor). Shockley membuat kemajuan di bidang itu pada 1950 yang membuatnya mudah diproduksi. Gagasannya yang orisinal akhinya menimbulkan pengembangan keping silikon. Shockley, Bardeen, danBrattain memenangkan Penghargaan Nobel dalam Fisika 1956 untuk pengembangan transistor, yang memungkinkan alat-alat elektronik dibuat lebih kecil, jelas, malahan murah.
3. Walter Houser Brattain
Walter Houser Brattain (10 Februari 1902 – 13 Oktober 1987) adalah fisikawan Amerika Serikat yang menerima Hadiah Nobel Fisika 1956 untuk penemuan transistor bersama John Bardeen dan William Shockley. Walter H. Brattain lahir di Amoy, Cina, pada tanggal 10 Februari 1902, putra R. Ross Brattain dan Ottilie tag. Ia menghabiskan masa kecil dan remaja di Negara Bagian Washington dan menerima gelar BS Gelar dari Whitman College pada tahun 1924. Ia dianugerahi gelar MA oleh University of Oregon pada tahun 1926 dan Ph.D. gelar oleh University of Minnesota pada tahun 1929.
Nama paten asli untuk transistor ialah “Semiconductor amplifier; Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials.” Pada 1956, kelompok ini dianugrahi Hadiah Nobel dalam Fisika untuk penemuan transistor mereka. Pada 1977, John Bardeen dianugrahi Presidential Medal of Freedom.
Sumber :
http://id.wikipedia.org/wiki/John_Bardeen
http://id.wikipedia.org/wiki/Walter_Brattain
http://id.wikipedia.org/wiki/William_Shockley
Transistor, komponen yang mengubah wajah dunia, memungkinkan ukuran peralatan elektronika makin kecil dan kompak dan konsumsi daya rendah, juga mengawali era elektronika digital.
Di pertengahan 1940-an sekelompok ilmuwan yang bekerja di Bell Telephone Labs di Murray Hill, New Jersey, merintis penemuan divais untuk menggantikan teknologi tabung hampa (vacuum tube) saat itu. Tabung hampa menjadi satu-satunya teknologi saat itu untuk menguatkan sinyal atau sebagai saklar dalam elektronika. Masalahnya ialah tabung hampa sangat mahal, mengkonsumsi banyak daya listrik, panas, dan tak-relieable, sehingga perlu perawatan ekstra.
Penemu Transistor
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor pada 1947) ialah John Bardeen, Walter Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan fisika dari Princeton University) merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron dari semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam struktur atom zat padat pada permukaan dan fisika zat padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di Bell Labs).
John Bardeen, William Bradford Shockle, dan Walter Houser Brattain
John Bardeen (23 Mei 1908-30 Januari 1991) ialah ilmuwan Amerika Serikat yang menerima Penghargaan Nobel dalam Fisika 2 kali, yakni pada tahun 1956 dan 1972. Dilahirkan di Madison, Wisconsin, ibunya ialah desainer interior dan ayahnya ialah guru besar kedokteran. Sejak kecil ia cerdas dan diizinkan loncat kelas 4 tahun di SD.
Setelah sekolah tinggi, ia belajar di Universitas Madison, mendapat gelar bachelor dalam teknik elektro. Ia mengambil pendidikan singkat untuk magang di Western Electric Company di Chicago. Setelah lulus, John menjadi asisten riset sarjana dan bekerja dengan Leo Peters dalam geofisika dan gelombang radio.
Pada tahun 1930, ia berpisah dengan Peters untuk pergi ke Pittsburgh, Pennsylvania. Di sana, mereka diberi jabatan riset di Gulf Research Laboratories dan bekerja di sana sampai tahun 1933. Selama masa itu, John bekerja pada pengembangan metode untuk menafsirkan survei geologi magnetik.
Pada tahun 1933, John memulai studi kesarjanaan dalam fisika di Princeton University. Selama waktu senggangnya, ia bekerja di Harvard dengan Profesor Edward van Vleck dan Profesor Bridgman pada riset dalam kohesi dan konduktivitas logam. Ia mendapat gelar Ph.D. pada tahun 1936.
Pada tahun 1938, ia diberi kedudukan sebagai asisten guru besar fisika pembantu di Universitas Minnesota. Ia bekerja di sana sampai tahun 1941, saat ia meninggalkannya untuk bekerja di Naval Ordinance Laboratory di Washington D.C. Alasan utama untuk bekerja di sana ialah untuk membantu usaha perang terhadap Jepang dan Jerman. Risetnya berfokus pada penyapuan ranjau dengan menggunakan magnetisme.
Pada tahun 1945, setelah berakhirnya PD II, ia bergabung dengan Bell Labs untuk bekerja dalam riset fisika keadaan padat.
Pada tahun 1951, ia menjadi guru besar teknik elektro di University of Illinois at Urbana-Champaign. Penelitiannya dengan Walter Brattain dan William Shockley berpuncak dalam pengembangan transistor pertama. Mereka bertiga dinominasikan untuk Hadiah Nobel Fisika pada tahun 1956 untuk kerjanya dan menang. Penemuan transistor merevolusionerkan elektronik elektronika dan menimbulkan banyak kemajuan penting, termasuk pengembangan komputer pribadi.
Pada tahun 1957, ia turut serta dalam riset pada superkonduktivitas yang menghasilkan penjelasan superkonduktor pertama. Pada tahun 1972, ia dinominasikan ke Hadiah Nobel dalam Fisika lagi untuk teori superkonduktivitasnya, menjadikannya fisikawan pertama dalam sejarah yang memenangkan Penghargaan Nobel Fisika 2 kali. Nobel Fisika kedua diterimanya bersama Leon Neil Cooper dan John Schrieffer.
Pada tahun 1990, ia dinobatkan sebagai salah satu tokoh Amerika Serikat paling berpengaruh pada abad ke-20 oleh majalah Life. Ia juga menerima Medal of Science pada tahun 1965, Presidential Medal of Freedom 1976, dan 16 gelar doktor kehormatan.
2. William Bradford Shockley
William Bradford Shockley (lahir di London, Inggris, Britania Raya, 13 Februari 1910 – meninggal di Stanford, California,Amerika Serikat, 12 Agustus 1989 pada umur 79 tahun) ialah fisikawan Amerika Serikat kelahiran Inggris yang menerima Hadiah Nobel Fisika bersama dengan John Bardeen dan Walter H. Brattain.
Ia dilahirkan di London dari orang tua Amerika Serikat yang berada di Inggris selama bebberapa tahun untuk urusan bisnis.Ayahnya adalah insinyur pertambangan dan ibunya wakil surveyor federal untuk tanah mineral. Mereka kembali ke Kalifornia saat William masih balita. Minatnya dalam sains tumbuh sejak dini, melalui profesi orangtuanya dan tetangganya yang mengajar fisikadi Stanford. Ia lulus dari CalTech pada 1932 dan menerima PhD dari MIT pada 1936.
Ia mulai bekerja di Laboratorium Bell. Penelitiannya dalam fisika benda padat, khususnya tabung vakum, membuat banyak kemajuan teoretis dalam tujuan perusahaan untuk menggunakan tombol elektronik untuk kantor telepon sebagai pengganti tombol mekanik yang masih dipakai sampai saat itu. Selama PD II, Shockley bekerja untuk proyek militer, khususnya memperhalus sistem radar. Begitu perang berakhir, ia kembali meneliti benda padat, kini mengamati semikonduktor.
Salah satu sumbangannya dalam bidang industri elektronika ialah penerapan teori kuantum pada perkembangan semikonduktor. Pada 1947, dengan koleganya John Bardeen dan Walter Brattain, ia membuat alat semikonduktor pengeras pertama. Mereka menyebutnya transistor (dari transfer dan resistor). Shockley membuat kemajuan di bidang itu pada 1950 yang membuatnya mudah diproduksi. Gagasannya yang orisinal akhinya menimbulkan pengembangan keping silikon. Shockley, Bardeen, danBrattain memenangkan Penghargaan Nobel dalam Fisika 1956 untuk pengembangan transistor, yang memungkinkan alat-alat elektronik dibuat lebih kecil, jelas, malahan murah.
3. Walter Houser Brattain
Walter Houser Brattain (10 Februari 1902 – 13 Oktober 1987) adalah fisikawan Amerika Serikat yang menerima Hadiah Nobel Fisika 1956 untuk penemuan transistor bersama John Bardeen dan William Shockley. Walter H. Brattain lahir di Amoy, Cina, pada tanggal 10 Februari 1902, putra R. Ross Brattain dan Ottilie tag. Ia menghabiskan masa kecil dan remaja di Negara Bagian Washington dan menerima gelar BS Gelar dari Whitman College pada tahun 1924. Ia dianugerahi gelar MA oleh University of Oregon pada tahun 1926 dan Ph.D. gelar oleh University of Minnesota pada tahun 1929.
Dr Brattain telah menjadi anggota staf teknis Bell Laboratories sejak
1929. Kepala Bidang penelitiannya telah sifat permukaan benda padat.
kerja awal adalah berhubungan dengan emisi termionik dan lapisan
teradsorpsi pada tungsten. Dia terus ke bidang-foto rektifikasi dan efek
pada permukaan semikonduktor, yang dimulai dengan studi pembetulan pada
permukaan oksida cuprous. Karya ini diikuti oleh penelitian serupa
silikon. Sejak Perang Dunia II ia terus dalam baris yang sama penelitian
dengan kedua silikon dan germanium.
Kontribusi kepala Dr Brattain untuk fisika keadaan padat telah penemuan efek-foto di permukaan bebas dari semikonduktor, penemuan transistor titik kontak bersama-sama dengan Dr John Bardeen, dan bekerja menuju pemahaman yang lebih baik dari sifat permukaan semikonduktor, dilakukan pertama dengan Dr Bardeen, kemudian dengan Dr CGB Garrett, dan saat ini dengan Dr P. J. Boddy.
Dr Brattain menerima kehormatan Doctor of Science dari Portland University pada tahun 1952, dari Whitman College dan Union College pada tahun 1955, dan dari University of Minnesota pada tahun 1957. Pada tahun 1952 ia dianugerahi Stuart Ballantine Medal dari Institut Franklin, dan pada tahun 1955 John Scott Medal. Tingkat di Union College dan dua medali diterima bersama-sama dengan Dr John Bardeen, sebagai pengakuan atas pekerjaan mereka pada transistor.
Dr Brattain adalah anggota National Academy of Sciences dan Institut Franklin, sebuah Fellow dari American Physical Society, American Academy of Arts and Sciences, dan Asosiasi Amerika untuk Kemajuan Ilmu. Ia juga anggota komisi tentang semikonduktor Uni Internasional Fisika Murni dan Terapan, dan dari Naval Research Komite Penasihat.
Pada tahun 1935 ia menikah dengan Dr Keren akhir (Gilmore) Brattain, mereka punya seorang putra, William Gilmore Brattain. Pada tahun 1958 ia menikahi Mrs Emma Jane (Kirsch) Miller. Dr Brattain tinggal di Summit, New Jersey, dekat Murray Hill (NJ) laboratorium Bell Laboratories Telepon. Walter H. Brattain meninggal pada tanggal 13 Oktober 1987.
Kontribusi kepala Dr Brattain untuk fisika keadaan padat telah penemuan efek-foto di permukaan bebas dari semikonduktor, penemuan transistor titik kontak bersama-sama dengan Dr John Bardeen, dan bekerja menuju pemahaman yang lebih baik dari sifat permukaan semikonduktor, dilakukan pertama dengan Dr Bardeen, kemudian dengan Dr CGB Garrett, dan saat ini dengan Dr P. J. Boddy.
Dr Brattain menerima kehormatan Doctor of Science dari Portland University pada tahun 1952, dari Whitman College dan Union College pada tahun 1955, dan dari University of Minnesota pada tahun 1957. Pada tahun 1952 ia dianugerahi Stuart Ballantine Medal dari Institut Franklin, dan pada tahun 1955 John Scott Medal. Tingkat di Union College dan dua medali diterima bersama-sama dengan Dr John Bardeen, sebagai pengakuan atas pekerjaan mereka pada transistor.
Dr Brattain adalah anggota National Academy of Sciences dan Institut Franklin, sebuah Fellow dari American Physical Society, American Academy of Arts and Sciences, dan Asosiasi Amerika untuk Kemajuan Ilmu. Ia juga anggota komisi tentang semikonduktor Uni Internasional Fisika Murni dan Terapan, dan dari Naval Research Komite Penasihat.
Pada tahun 1935 ia menikah dengan Dr Keren akhir (Gilmore) Brattain, mereka punya seorang putra, William Gilmore Brattain. Pada tahun 1958 ia menikahi Mrs Emma Jane (Kirsch) Miller. Dr Brattain tinggal di Summit, New Jersey, dekat Murray Hill (NJ) laboratorium Bell Laboratories Telepon. Walter H. Brattain meninggal pada tanggal 13 Oktober 1987.
Nama paten asli untuk transistor ialah “Semiconductor amplifier; Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials.” Pada 1956, kelompok ini dianugrahi Hadiah Nobel dalam Fisika untuk penemuan transistor mereka. Pada 1977, John Bardeen dianugrahi Presidential Medal of Freedom.
Sumber :
http://id.wikipedia.org/wiki/John_Bardeen
http://id.wikipedia.org/wiki/Walter_Brattain
http://id.wikipedia.org/wiki/William_Shockley
No comments:
Post a Comment